Qualcomm представила новый флагманский чипсет Snapdragon 820

[img=left]/image.php?img=http://hi-tech.ua/wp-content/uploads/2015/11/Qualcomm-Snapdragon-820.jpg[/img]

Новые чипы создаются компанией Самсунг по 14-нанометровой технологии FinFET. 14-нм четырехъядерный чипсет, основанный на базе собственных ядер Kryo с тактовой частотой до 2,2 ГГц. Есть отдельный цифровой сигнальный процессор Hexagon 680 DSP. Благодаря новым ядрам новинка будет работать вдвое скорее Snapdragon 810, заявляет производитель. Графическая подсистема новинки представлена чипом Adreno 530, который на 40% скорее и экономичнее, нежели Adreno 430 от Snapdragon 810. Первые гаджеты на Snapdragon 820 поядятся уже в первом квартале 2016 года. Доступна также функция быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge 3.0, которая в 4 раза быстрей обычной зарядки и на 38% — нежели Quick Charge 2.0. Интегрированный модем X12 LTE поддерживает LTE Cat 12 в нисходящем направлении и Cat 13 в восходящем. Это соответствует скоростям до 600 Мбит/с и 150 Мбит/с. Также можно обозначить поддержку 2×2 MU-MIMO и Qualcomm VIVE 802.11ac.

Среди основных характеристик нового чипа стоит обозначить поддержку технологии Quick Charge версии 3.0, которая была презентована около 2-х месяцев назад.

Заметим поддержку CPU дисплеев 4K, а еще возможность работы с 28-мегапиксельными камерами благодаря 14-битному двойному процессору обработки изображений. Новинка должна стать основой для не менее чем 60 моделей флагманских телефонов в 2016-м году, утверждают ее создатели.

Оставьте комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector